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FDMS3669S-SN00345

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

13A（Ta），24A（Tc），18A（Ta），60A（Tc）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.7V @ 250µA，2.5V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

10毫欧 @ 13A，10V，5毫欧 @ 18A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

1605pF @ 15V，2060pF @ 15V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

24nC @ 10V，34nC @ 10V

供应商器件封装 :

Power56

功率 - 最大值 :

1W（Ta），2.2W（Tc），1W（Ta），2.5W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-PowerTDFN

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V

配置 :

2 N 沟道（双）非对称型