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NTMFD4C86NT1G

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

11.3A，18.1A

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.2V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

5.4 毫欧 @ 30A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

1153pF @ 15V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

22.2nC @ 10V

供应商器件封装 :

8-DFN（5x6）

功率 - 最大值 :

1.1W

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-PowerTDFN

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V

配置 :

2 N 沟道（双）非对称型