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TMC1620-TO

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

6.6A，4.7A

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

3V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

36 毫欧 @ 6A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

1560pF @ 25V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

19.2nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

TO-252-4L

功率 - 最大值 :

3.13W

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

60V

配置 :

N 和 P 沟道，共漏