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QJD1210011

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

100A（Tc）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

5V @ 10mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

25 毫欧 @ 100A，20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

10200pF @ 800V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

500nC @ 20V

供应商器件封装 :

模块

功率 - 最大值 :

900W

安装类型 :

底座安装

封装/外壳 :

模块

工作温度 :

-40°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

碳化硅（SiC）

漏源电压（Vdss） :

1200V（1.2kV）

配置 :

2 N-通道（双）