产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NVMFD5489NLWFT1G
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 4.5A
- FET 功能 :
- 逻辑电平门
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 2.5V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 65 毫欧 @ 15A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 330pF @ 25V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 12.4nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
- 功率 - 最大值 :
- 3W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-PowerTDFN
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 60V
- 配置 :
- 2 N-通道(双)
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1808Y1000272FCR
1808Y1000272FFR
1808Y1000272FFT
1808Y1000272GCR
1808Y1000272GFR
1808Y1000272GFT
1808Y1000272JCR
1808Y1000272JDR
1808Y1000272JDT
1808Y1000272JFR
1808Y1000272JFT
1808Y1000272JXR
1808Y1000272KCR
1808Y1000272KDR
1808Y1000272KDT
1808Y1000272KFR
1808Y1000272KFT
1808Y1000272KXR
1808Y1000272MDR
1808Y1000272MDT