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EFC6602R-A-TR

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

-

FET 功能 :

逻辑电平栅极，2.5V 驱动

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

-

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

55nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

EFCP2718-6CE-020

功率 - 最大值 :

2W

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

6-XFBGA，FCBGA

工作温度 :

150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

-

配置 :

2 N 沟道（双）共漏