数据列表

SI5515DC-T1-GE3

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

4.4A，3A

FET 功能 :

逻辑电平门

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

40 毫欧 @ 4.4A，4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

7.5nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

1206-8 ChipFET™

功率 - 最大值 :

1.1W

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-SMD，扁平引线

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

20V

配置 :

N 和 P 沟道