数据列表

IRFH7911TR2PBF

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

13A，28A

FET 功能 :

逻辑电平门

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.35V @ 25µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

8.6 毫欧 @ 12A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

1060pF @ 15V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

12nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

PQFN（5x6）

功率 - 最大值 :

2.4W，3.4W

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

18-PowerVQFN

工作温度 :

-

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V

配置 :

2 N-通道（双）