数据列表

APTM100H80FT1G

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

11A

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

5V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

960 毫欧 @ 9A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

3876pF @ 25V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

150nC @ 10V

供应商器件封装 :

SP1

功率 - 最大值 :

208W

安装类型 :

底座安装

封装/外壳 :

SP1

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

1000V（1kV）

配置 :

4 N 沟道（半桥）