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SI8902EDB-T2-E1

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

3.9A

FET 功能 :

逻辑电平门

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1V @ 980µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

6-Micro Foot™（2.36x1.56）

功率 - 最大值 :

1W

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

6-MICRO FOOT®CSP

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

20V

配置 :

2 N 沟道（双）共漏