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SI3911DV-T1-E3

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

1.8A

FET 功能 :

逻辑电平门

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

450mV @ 250µA（最小）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

145 毫欧 @ 2.2A，4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

7.5nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

6-TSOP

功率 - 最大值 :

830mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

工作温度 :

-

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

20V

配置 :

2 个 P 沟道（双）