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ZXMC3AM832TA

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

2.9A，2.1A

FET 功能 :

逻辑电平门

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1V @ 250µA（最小）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

120 毫欧 @ 2.5A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

190pF @ 25V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

3.9nC @ 10V

供应商器件封装 :

8-MLP（3x2）

功率 - 最大值 :

1.7W

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-VDFN 裸露焊盘

工作温度 :

-

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V

配置 :

N 和 P 沟道