数据列表

FF8MR12W1M1HB11BPSA1

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

-

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

-

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

AG-EASY1B

功率 - 最大值 :

-

安装类型 :

底座安装

封装/外壳 :

模块

工作温度 :

-

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

1200V（1.2kV）

配置 :

-