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MTI200WX75GD-SMD

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

255A（Tc）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

3.8V @ 275µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

1.3 毫欧 @ 100A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

14400pF @ 38V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

155nC @ 10V

供应商器件封装 :

ISOPLUS-DIL™

功率 - 最大值 :

-

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

ISOPLUS-DIL™

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

75V

配置 :

6 N-沟道（3 相桥）