数据列表

MTI85W100GC-SMD

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

120A（Tc）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

3.5V @ 150µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

4 毫欧 @ 80A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

88nC @ 10V

供应商器件封装 :

ISOPLUS-DIL™

功率 - 最大值 :

-

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

17-SMD，鸥翼

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

100V

配置 :

6 N-沟道（3 相桥）