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TC6321T-V/9U

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

2A（Ta）

FET 功能 :

逻辑电平门

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2V @ 1mA，2.4V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

7 欧姆 @ 1A，10V，8 欧姆 @ 1A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

110pF @ 25V，200pF @ 25V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

8-VDFN（6x5）

功率 - 最大值 :

-

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-VDFN 裸露焊盘

工作温度 :

-55°C ~ 175°C

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

200V

配置 :

N 和 P 沟道