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CMSBN4616-HF

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

8A（Ta）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1.3V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

18 毫欧 @ 3A，4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

8.8nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

CSPB1515-4

功率 - 最大值 :

1.5W（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

4-SMD，无引线

工作温度 :

150°C

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

-

配置 :

2 N 沟道（双）共漏