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IRFI4212H-117PXKMA1

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

11A（Tc）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

5V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

72.5 毫欧 @ 6.6A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

490pF @ 50V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

18nC @ 10V

供应商器件封装 :

TO-220-5 整包

功率 - 最大值 :

18W（Tc）

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-220-5 全封装，成形引线

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

100V

配置 :

2 N-通道（双）