数据列表

EFC4C002NLTDG

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

-

FET 功能 :

逻辑电平门

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.2V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

6200pF @ 15V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

45nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

8-WLCSP（6x2.5）

功率 - 最大值 :

2.6W

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-XFBGA，WLCSP

工作温度 :

150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

-

配置 :

2 N 沟道（双）共漏