数据列表

SQUN700E-T1_GE3

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

16A（Tc），30A（Tc）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

3.5V @ 250µA，2.5V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

9.2 毫欧 @ 9.8A，10V，75 毫欧 @ 5A，10V，30 毫欧 @ 6A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

1474pF @ 20V，600pF @ 100V，1302pF @ 100V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

23nC @ 10V，11nC @ 10V，30.2nC @ 10V

供应商器件封装 :

模具

功率 - 最大值 :

50W（Tc），48W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

模具

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

200V，40V

配置 :

2 N 沟道（双），P 沟道