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NTMFD1D1N02X

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

14A（Ta），75A（Tc），27A（Ta），178A（Tc）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.1V @ 240µA，2.1V @ 850µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

3 毫欧 @ 20A，10V，870µ欧姆 @ 37A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

1080pF @ 12V，4265pF @ 12V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

15nC @ 10V，59nC @ 10V

供应商器件封装 :

8-PQFN（5x6）

功率 - 最大值 :

960mW（Ta），27W（Tc），1W（Ta），44W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-PowerWDFN

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

25V

配置 :

2 N-通道（双）