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NVMFD5C650NLT1G

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

21A（Ta），111A（Tc）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.2V @ 98µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

4.2 毫欧 @ 20A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

2546pF @ 25V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

16nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）

功率 - 最大值 :

3.5W（Ta），125W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-PowerTDFN

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

60V

配置 :

2 N-通道（双）