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SIRB40DP-T1-GE3

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

40A（Tc）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.4V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

3.25 毫欧 @ 10A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

4290pF @ 20V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

45nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

PowerPAK® SO-8 双

功率 - 最大值 :

46.2W

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

PowerPAK® SO-8 双

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

40V

配置 :

2 N-通道（双）