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SI1965DH-T1-GE3

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

1.3A

FET 功能 :

逻辑电平门

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

390 毫欧 @ 1A，4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

120pF @ 6V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

4.2nC @ 8V

供应商器件封装 :

SC-70-6

功率 - 最大值 :

1.25W

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

6-TSSOP，SC-88，SOT-363

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

12V

配置 :

2 个 P 沟道（双）