数据列表

PMCXB1000UEZ

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

590mA（Ta），410mA（Ta）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

950mV @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

670 毫欧 @ 590mA，4.5V，1.4 欧姆 @ 410mA，4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

30.3pF @ 15V，43.2pF @ 15V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

1.05nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

DFN1010B-6

功率 - 最大值 :

285mW（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

6-XFDFN 裸露焊盘

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V

配置 :

N 和 P 沟道互补型