产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NX1029X,115
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 330mA,170mA
- FET 功能 :
- 逻辑电平门
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 2.1V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 7.5 欧姆 @ 100mA,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 36pF @ 25V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 0.35nC @ 5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-666
- 功率 - 最大值 :
- 500mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-563,SOT-666
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 60V,50V
- 配置 :
- N 和 P 沟道
采购与库存
推荐产品
您可能在找
F950G227MTAAM1Q2
F950G227MTAAQ2
TPSD336K016R0200
TACK475M003QTA
F931A686KCC
T495D156M025ATE275
T495B226K010ATE800
F950G337KTAAQ2
T494C685K025AT
F951A686MBAAQ2
199D105X9035A2B1E3
T495A475K016ATE2K0
F951A476MBAAQ2
173D125X9020UE3
F951D226MBAAQ2
F951D226KBAAQ2
TR3C107K6R3C0125
F931E336KNC
TAJD336K020HNJ
TAJB475M035HNJ