数据列表

FDMC89521L

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

8.2A（Ta）

FET 功能 :

逻辑电平门

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

3V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

17 毫欧 @ 8.2A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

1635pF @ 30V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

24nC @ 10V

供应商器件封装 :

8-Power33（3x3）

功率 - 最大值 :

1.9W（Ta），16W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-PowerWDFN

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

60V

配置 :

2 N-通道（双）