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HS8MA2TCR1

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

5A（Ta），7A（Ta）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.5V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

80 毫欧 @ 5.5A，10V，35 毫欧 @ 7A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

320pF @ 10V，365pF @ 10V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

7.8nC @ 10V，8.4nC @ 10V

供应商器件封装 :

DFN3333-9DC

功率 - 最大值 :

2W（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-PowerWDFN

工作温度 :

150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V

配置 :

N 和 P 沟道