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G05NP06S2

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

5A（Tc），3.1A（Tc）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2V @ 250µA，2.2V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

40 毫欧 @ 3.9A，5V，95 毫欧 @ 200mA，4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

1336pF @ 30V，1454pF @ 30V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

22nC @ 10V，37nC @ 10V

供应商器件封装 :

8-SOP

功率 - 最大值 :

2.5W（Tc），1.9W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

-

漏源电压（Vdss） :

60V

配置 :

N 和 P 沟道