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MTM78E2B0LBF

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

4A

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1.3V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

25 毫欧 @ 2A，4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

1100pF @ 10V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

WSMINI8-F1-B

功率 - 最大值 :

150mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-SMD，扁平引线

工作温度 :

150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

20V

配置 :

2 N-通道（双）