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VT6M1T2CR

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

100mA

FET 功能 :

逻辑电平栅极，1.2V 驱动

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1V @ 100µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

7.1pF @ 10V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

VMT6

功率 - 最大值 :

120mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

6-SMD，扁平引线

工作温度 :

150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

20V

配置 :

N 和 P 沟道