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SSM5P15FU,LF

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

100mA（Ta）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1.7V @ 100µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

12 欧姆 @ 10mA，4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

9.1pF @ 3V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

USV

功率 - 最大值 :

200mW（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353

工作温度 :

150°C

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V

配置 :

2 个 P 沟道（双）