数据列表

SIZ340ADT-T1-GE3

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

15.7A（Ta），33.4A（Tc），25.4A（Ta），69.7A（Tc）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.4V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

9.4 毫欧 @ 10A，10V，4.29 毫欧 @ 20A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

580pF @ 15V，1290pF @ 15V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

12.2nC @ 10V，27.9nC @ 10V

供应商器件封装 :

8-Power33（3x3）

功率 - 最大值 :

3.7W（Ta），16.7W（Tc），4.2W（Ta），31W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-PowerWDFN

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V

配置 :

2 N-通道（双）