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SIZ998BDT-T1-GE3

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

23.7A（Ta），54.8A（Tc），36.2A（Ta），94.6A（Tc）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.2V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

4.39 欧姆 @ 15A，10V，2.4 欧姆 @ 19A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

790pF @ 15V，2130pF @ 15V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

18nC @ 10V，46.7nC @ 10V

供应商器件封装 :

8-PowerPair®（6x5）

功率 - 最大值 :

3.8W（Ta），20W（Tc），4.8W（Ta），32.9W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-PowerWDFN

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V

配置 :

2 个 N 通道（双），肖特基