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SSM6N62TU,LF

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

800mA（Ta）

FET 功能 :

逻辑电平栅极，1.2V 驱动

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

85 毫欧 @ 800mA，4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

177pF @ 10V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

2nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

UF6

功率 - 最大值 :

500mW（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

6-SMD，扁平引线

工作温度 :

150°C

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

20V

配置 :

2 N-通道（双）