数据列表

MCB60I1200TZ

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

90A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

+20V，-5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

4V @ 15mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

34 毫欧 @ 50A，20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

2790 pF @ 1000 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

160 nC @ 20 V

供应商器件封装 :

TO-268AA（D3Pak-HV）

功率耗散（最大值） :

-

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA

工作温度 :

-40°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss） :

1200 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

20V