数据列表

VP1008B

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

790mA（Ta）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

P 通道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

4.5V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

5 欧姆 @ 1A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

150 pF @ 25 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

TO-39

功率耗散（最大值） :

6.25W（Ta）

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-205AD，TO-39-3 金属罐

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

100 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

10V