数据列表

IRFD113

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

800mA（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

4V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

800 毫欧 @ 800mA，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

200 pF @ 25 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

7 nC @ 10 V

供应商器件封装 :

4-HVMDIP

功率耗散（最大值） :

1W（Tc）

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

4-DIP（0.300"，7.62mm）

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

60 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

10V