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2N6661JTVP02

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

860mA（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

4 欧姆 @ 1A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

50 pF @ 25 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

TO-39

功率耗散（最大值） :

725mW（Ta），6.25W（Tc）

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-205AD，TO-39-3 金属罐

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

90 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

5V，10V