数据列表

SI6473DQ-T1-GE3

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

6.2A（Ta）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

P 通道

Vgs（最大值） :

±8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

450mV @ 250µA（最小）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

12.5 毫欧 @ 9.5A，4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

70 nC @ 5 V

供应商器件封装 :

8-TSSOP

功率耗散（最大值） :

1.08W（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

20 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

1.8V，4.5V