数据列表

SI4448DY-T1-GE3

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

50A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

±8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

1.7 毫欧 @ 20A，4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

12350 pF @ 6 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

150 nC @ 4.5 V

供应商器件封装 :

8-SOIC

功率耗散（最大值） :

3.5W（Ta），7.8W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

12 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

1.8V，4.5V