数据列表

IRF6614TR1

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

12.7A（Ta），55A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.25V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

8.3 毫欧 @ 12.7A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

2560 pF @ 20 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

29 nC @ 4.5 V

供应商器件封装 :

DIRECTFET™ ST

功率耗散（最大值） :

2.1W（Ta），42W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

DirectFET™ 等容 ST

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

40 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

4.5V，10V