产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IRFSL38N20DPBF
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 43A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- -
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 5V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 54 毫欧 @ 26A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 2900 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 91 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- TO-262
- 功率耗散(最大值) :
- -
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 工作温度 :
- -
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 200 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342K11B2E21MT0V
M55342K11B2E74RT0V
M55342K11B2E43RT0V
M55342K11B35E7RT0V
M55342K11B37D4PT0V
M55342K11B35D7RT0V
M55342E11B5H10RT0
M55342E11B12B7RT0
M55342K11B24E9RT0V
M55342K11B2B70RT0
M55342K11B2E00RT0V
M55342E11B835ART0
M55342E11B8B06RT0
M55342E11B100BMT0
M55342E11B8B20RT0
M55342E11B84B5RT0
M55342E11B10B0RT0
M55342E11B51B1RT0
M55342E11B8B87RT0
M55342H11B33D0RW0