产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- STB24NM65N
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 19A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±25V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 4V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 190 毫欧 @ 9.5A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 2500 pF @ 50 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 70 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- D2PAK
- 功率耗散(最大值) :
- 160W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 650 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SG73P2E1RTTD1692F
SG73P2E1RTTD2611F
SG73P2E1RTTD4532F
SG73P2E1RTTD3901F
SG73P2E1RTTD103G
SG73P2E1RTTD1653F
SG73P2E1RTTD1071F
SG73P2E1RTTD13R0F
SG73P2E1RTTD10R7F
SG73P2E1RTTD165G
SG73P2E1RTTD685G
SG73P2E1RTTD102G
SG73P2E1RTTD56R2F
SG73P2E1RTTD4753F
SG73P2E1RTTD105G
SG73P2E1RTTD3241F
SG73P2E1RTTD1652F
SG73P2E1RTTD2553F
SG73P2E1RTTD5903F
SG73P2E1RTTD5760F