产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- APT8014JLL
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 42A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±30V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 5V @ 5mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 140 毫欧 @ 21A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 7238 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 285 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- ISOTOP®
- 功率耗散(最大值) :
- 595W(Tc)
- 安装类型 :
- 底座安装
- 封装/外壳 :
- SOT-227-4,miniBLOC
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 800 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
S-1000C46-I4T1G
S-1000N15-I4T1G
S-1000N16-I4T1G
S-1000N17-I4T1G
S-1000N18-I4T1G
S-1000N19-I4T1G
S-1000N20-I4T1G
S-1000N21-I4T1G
S-1000N22-I4T1G
S-1000N23-I4T1G
S-1000N24-I4T1G
S-1000N25-I4T1G
S-1000N26-I4T1G
S-1000N27-I4T1G
S-1000N28-I4T1G
S-1000N29-I4T1G
S-1000N30-I4T1G
S-1000N31-I4T1G
S-1000N32-I4T1G
S-1000N33-I4T1G
