产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- FQPF4N80
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 2.2A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±30V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 5V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 3.6 欧姆 @ 1.1A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 880 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 25 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- TO-220F-3
- 功率耗散(最大值) :
- 43W(Tc)
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-220-3 整包
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 800 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RS73G1JRTTD2700D
RS73F1JRTTD1540D
RS73F1JRTTD24R3D
RS73G1JRTTD8202F
RS73G1JRTTD61R9D
RS73G1JRTTD2871D
RS73G1JRTTD21R0D
RS73G1JRTTD6043D
RS73F1JRTTD20R0F
RS73G1JRTTD8062F
RS73G1JRTTD35R7F
RS73G1JRTTD20R5F
RS73G1JRTTD15R0D
RS73F1JRTTD4701D
RS73F1JRTTD15R0F
RS73G1JRTTD27R0F
RS73G1JRTTD2100F
RS73G1JRTTD6191D
RS73G1JRTTD2872D
RS73F1JRTTD3740D