数据列表

NTB65N02RT4G

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

7.6A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

8.2 毫欧 @ 30A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

1330 pF @ 20 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

9.5 nC @ 4.5 V

供应商器件封装 :

D2PAK

功率耗散（最大值） :

1.04W（Ta），62.5W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

25 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

4.5V，10V