产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IRL3714PBF
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 36A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 3V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 20 毫欧 @ 18A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 670 pF @ 10 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 9.7 nC @ 4.5 V
- 供应商器件封装 :
- TO-220AB
- 功率耗散(最大值) :
- 47W(Tc)
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-220-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 20 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 4.5V,10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
S-8261AAZMD-G2ZT2U
S-8261ABAMD-G3AT2U
S-8261ABBMD-G3BT2U
S-8261ABCMD-G3CT2U
S-8261ABIMD-G3IT2U
S-8261ABJMD-G3JT2U
S-8261ABKMD-G3KT2U
S-8261ABLMD-G3LT2G
S-8261ABLMD-G3LT2U
S-8261ABMMD-G3MT2U
S-8261ABNMD-G3NT2U
S-8261ABPMD-G3PT2U
S-8261ABRMD-G3RT2U
S-8261ABSMD-G3ST2U
S-8261ABTMD-G3TT2G
S-8261ABTMD-G3TT2U
S-8261ABYMD-G3YT2G
S-8261ABYMD-G3YT2U
S-8261ABZMD-G3ZT2G
S-8261ABZMD-G3ZT2U
