产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- APT50M50JVR
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 77A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- -
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 4V @ 5mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 50 毫欧 @ 500mA,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 19600 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 1000 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- ISOTOP®
- 功率耗散(最大值) :
- -
- 安装类型 :
- 底座安装
- 封装/外壳 :
- SOT-227-4,miniBLOC
- 工作温度 :
- -
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 500 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342H11B118DTTI
M55342H11B10E0TTP
M55342H11B113DTTI
M55342H11B7E15TTI
M55342M11B4K70TTIV
M55342M11B3K30TTIV
M55342E11B34B8TTI
M55342K11B49E9TTIV
M55342K11B4E75TTIV
M55342K11B1B84TTI
M55342K11B4B02TTI
M55342K11B1E21TTIV
M55342K11B20E0TTIV
M55342K11B4E32TTIV
M55342K11B1E00TTPV
M55342H11B240DTTI
M55342K11B59D0TWIV
M55342E11B36B0TTI
M55342K11B26D7TTIV
M55342K11B60B4TTI
