数据列表

IMT65R083M1HXUMA1

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

-

FET 功能 :

-

FET 类型 :

-

Vgs（最大值） :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

-

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

PG-HSOF-8-1

功率耗散（最大值） :

-

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-PowerSFN

工作温度 :

-

技术 :

SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss） :

650 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

18V